一. 产品特性
薄膜电路是在沉积不同金属膜的绝缘基片上,通过精密光刻和薄膜工艺来制成包含高性能电感、电阻和导线的电路. 将元件和其他所需器件同时放在此电路基片上,即可形成高性能和高可靠性的混合微波集成电路(HMIC)。 此电路的优点是体积小、重量轻、热耗散好、高频率和宽带性能及高可靠性, 可以工作于1-20GHz直至毫米波段。适用于无线通信设备的应用。
二.基板类型及材料特性
1. 基板材料特性
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特性 |
抛光氧化铝（Al2O3） |
共烧氧化铝（Al2O3） |
氧化铍（BeO） |
氮化铝（AlN） |
石英（SiO2） |
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化学成分 |
Al2O3 |
Al2O3 |
BeO |
AlN |
SiO2 |
|
纯度 (%) |
99.6 |
99.6 |
99.5 |
98 |
100 |
|
密度d (g/cm3) |
3.87 |
3.87 |
2.85 |
3.28 |
2.2 |
|
热膨胀系数 (ppm/℃) |
7.0-8.3
(25-1000℃) |
7.0-8.3
(25-1000℃) |
9.0 (25-1000℃) |
4.6
(25-300℃) |
0.65
(25-320℃) |
|
热导率 (W/m·K) |
26.9 |
26.9 |
270 |
170 |
1 |
|
相对介电常数 (εr) |
9.9@25℃1MHz |
9.9@25℃1MHz |
6.5 @25℃1MHz |
8.6@25℃1MHz |
3.8@25℃1MHz |
|
损耗 (@ 1MHz) |
0.0001 |
0.0001 |
0.0004 |
0.001 |
0.000015 |
|
绝缘强度 (kV/cm) |
4000 |
4000 |
--- |
--- |
10000 |
|
晶粒尺寸 (μm) |
<1.0 |
<1.0 |
9 –16 |
5 – 7 |
Amorphous |
|
硬度 (Rockwell) |
87 |
87 |
45 |
n/a |
7Mohs |
|
弯曲强度 K(10-3) lbs/in2 |
90 |
90 |
35 |
59 |
25 |
|
抗压强度M(10-3) lbs/in2 |
54 |
54 |
---- |
---- |
161 |
|
基板尺寸 (inches) |
1-3 |
1-3 |
1-2.25 |
1-2.25 |
1-2.25 |
2. 基板尺寸：
1″×1″(25.4 mm×25.4mm)；
2.0″×2.0″(50.8 mm×50.8mm)；
2.25″×2.25″(57.15 mm×57.15mm)；
3.0″×3.0″(76.2 mm×76.2mm)；
3. 基板厚度：
0.005″～0.025″(0.127 mm～0.635mm)
其中 0.005″、0.010″、0.015″、0.02″、0.025″为标准系列,可以迅速供应, 其他板材料提前预定。
4. 基板光洁度：<4μ-inches (0.1μm)
三. 标准金属膜
TiW = 300–800Å (0.03–0.08µm)
Au = 20–500µ" (0.5µm–12.7µm)
TaN = 10–200 ohms/square
50 ohms/square 为标准系列( 75–100 ohms/square需申请）
温度系数： TCR= ± 50ppm/°C
四. 标准尺寸和公差
最小线宽:电镀法通常为：0.0008" (20.4µm)； 蚀刻法通常为：0.0004” (10.2 um) ；更小的尺寸可以定做。
最小间隙：电镀法通常为：0.0004" (10.2µm)；蚀刻法通常为：: 0.0008” (20.4 um)；更小的尺寸可以定做。
电阻最小尺寸：通常为 0.002” (50.8um) 更小的尺寸可以定做。
关键部位尺寸公差：通常为：± 0.0001" (2.5µm)
非关键部位尺寸公差：通常为： ± 0.0003" (7.6µm)
电路尺寸公差：通常为： ± 0.002" (50.8µm)
电阻值公差：通常为：± 10% |
